Vishay SiliconiX推出业内导通电阻最低的MOSFET器件

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摘要日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3．7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET——SiZ710DT，新器件比前一代器件的导通电阻减小43％，同时具有更高的最大电流并提高效率。

出处《中国集成电路》 2010年第12期10-10,共1页 China lntegrated Circuit

关键词 MOSFET器件导通电阻功率MOSFET INC 双通道非对称 III 新器件

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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