IDT推出精度最高的全硅CMOS振荡器

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摘要 IDT公司日前宣布，推出业界精度最高的全硅CMOS振荡器，在整个温度、电压和其它因数方面实现了行业领先的100ppm总频率误差。IDT3C02振荡器采用IDT专利的CMOS振荡器技术，可以用一个100ppm及以下频率精度的单片CMOSIC取代基于石英晶体的振荡器，并采用非常薄的外形，

出处《中国集成电路》 2010年第12期11-11,共1页 China lntegrated Circuit

关键词 CMOS振荡器 IDT公司频率精度全硅频率误差石英晶体取代基单片

1夏增浪.深亚微米低压CMOS IC的ESD保护方法[J].半导体技术,1999,24(3):45-49. 被引量：2
2邵传芬.自对准钼栅技术在CMOSIC中的应用研究[J].上海交大科技,1990(2):53-58.
3桂力敏,贺德洪,丁瑞军,董胜强,谢嘉慧,陈承,陈康民,陈谷平,徐士美.硅栅CMOS集成电路测试图形的研究[J].华东师范大学学报（自然科学版）,1992(1):53-63.
4高精度全硅CMOS振荡器[J].今日电子,2010(12):61-61.
5张磊,王忆,张浩.浅谈CMOS集成电路的I_(DDQ)测试[J].微处理机,2007,28(4):18-19. 被引量：1
6袁博鲁.一种高性能16位A/D转换器[J].微电子学,1998,28(4):272-276.
7张正璠.消除CMOS IC闭锁的外延加双保护环技术[J].微电子学,1990,20(4):7-10. 被引量：1
8Silicon Laboratories推出业界首个用于GSM/GPRS手机的全集成单芯片手机[J].集成电路应用,2005,22(12):18-18.
9全集成GSM／GPRS手机单芯片[J].今日电子,2005(11):98-98.
10邓志杰（摘译）.国际半导体工艺指南中用于硅基IC系统的新材料[J].现代材料动态,2008(11):2-5.

中国集成电路

2010年第12期

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