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电沉积时间对SiO_2-ZnO复合光子晶体形貌及光学特性的影响

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摘要 采用垂直沉积法成功制备了SiO2光子晶体薄膜.以SiO2光子晶体薄膜做模板,采用电沉积和烧结处理在ITO基底上制备了SiO2-ZnO复合光子晶体.利用扫描电子显微镜观察了SiO2光子晶体模板及不同沉积时间所制备的SiO2-ZnO复合光子晶体薄膜形貌.研究发现,当沉积时间较短时,ZnO颗粒随机生长在SiO2微球表面.随着沉积时间的延长,ZnO颗粒均匀地生长在SiO2微球表面,以至于ZnO颗粒完全掺入模板的间隙.对所制备的光子晶体薄膜进行反射谱测量,发现在膜法线方向上,光子晶体薄膜有光子带隙的出现.
作者 闫刚印 张欣 黄鹏 王垒 戚芳 冯博学
机构地区 兰州大学物理科学与技术学院
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第30期2961-2965,共5页 Chinese Science Bulletin
基金 国家自然科学基金(60576013 60536010 J0630313) 甘肃省自然科学基金(096RJZA054)资助项目
关键词 光子晶体 电沉积 光子带隙
分类号 O611.3 [理学—无机化学]
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共引文献12

科学通报
2010年 第30期

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