提高DC-DC变换器效率用高单元密度屏蔽栅功率MOSFET

High cell-density,shielded-gate power MOSFET for improved DC-DC converter efficiency

本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度、屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷平衡,从而减少MOSFET的通态电阻和栅电荷。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50%以上。为进一步改善器件特性,一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中,使得反向恢复电荷减少了将近20%。上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的同步降压变换器应用中,能提供1.5%的最高效率改进。