摘要
一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。
We have introduced a phase shifting mask technology which can be used in power GaAs devices.With this technology,the gate length can reach 0 15μm.
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期28-29,共2页
Semiconductor Technology
