俄罗斯用分子束外延技术制备32×32元HgCdTe单片红外探测器

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摘要俄罗斯科学院半导体物理研究所西伯利亚分所已利用分子束外延技术在32×32元读出集成电路上制备出一个HgCdTe单片红外探测器。该单片探测器基于一种HgCdTe/CdTe/ZnTe/Si光敏异质结构,它是通过该研究所开发的一种既可保护读出集成电路元件又能生长高质量HgCdTe膜层的预外延制备技术制备的，其具体制备过程如下：

作者高国龙

出处《红外》 CAS 2010年第12期42-43,共2页 Infrared

关键词分子束外延技术 HGCDTE 俄罗斯科学院红外探测器制备技术单片读出集成电路物理研究所

分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]

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