期刊文献+

高频npn Si_(1-y)Ge_y基区HBT的集电结势垒区模型 被引量:3

下载PDF
导出
摘要 本文分析并给出了在无应力及界面态的理想条件下npnSi1-yGey基区HBT集电结势垒高度的近似公式,重点推导了集电区穿通时的势垒区宽度的定量计算公式,在比较了未发生集电区穿通的势垒区宽度后,得出了重要结论.同时。
出处 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期49-52,共4页 Acta Electronica Sinica
  • 相关文献

参考文献1

  • 1虞丽生,半导体异质结物理,1990年,66页

同被引文献19

  • 1刘道广,郝跃,徐世六,刘玉奎,何开全,刘嵘侃,张静,刘伦才,徐婉静,李荣强,陈光炳,徐学良,徐学良.基于MBE的f_(max)为157GHz的SiGe HBT器件[J].Journal of Semiconductors,2005,26(3):528-531. 被引量:2
  • 2余宽豪,刘毓成,陈学良.硅双极型高速工艺和与其相容的硅PIN探测器[J].半导体光电,1995,16(3):265-268. 被引量:3
  • 3张万荣,曾峥,罗晋生.Si/SiGe/Si双异质结晶体管异质结势垒效应(HBE)研究[J].电子学报,1996,24(11):43-47. 被引量:12
  • 4钱晓州,阮刚.适用于大电流的SiGe基区HBT的电流和频率特性的解析模型[J].Journal of Semiconductors,1996,17(11):822-829. 被引量:2
  • 5黄文韬,刘志农,罗光礼,等.有弛豫缓冲层的SiGeHMOSFET材料[c]//第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议.昆明,2001:343-347.
  • 6HAQUE T, STUDTMANN G, RAMAN S. A high linearity 30 GHz range SiGe differential power amplifier IC silicon monolithic integrated circuits in RF systems [C] //Proc of 2007 Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems. Long Beach, CA, USA,2007 : 115-118.
  • 7RUNVANW R, BEAN K E. Semiconductor integrate circuit processing technology [M]. New York : Addision-Wesley Publishing Company, 1990: 108-112.
  • 8IWASAKI N, YANAGIBASHI M, TSUNETSUGU H, et al. Packaging technology for 40-Gb/s optical receiver module with an MU-connector interface [J]. IEEE Transactions on Advanced Packaging, 2001, 24 (4): 429-433.
  • 9ISHISUKA F, IWASAKI N, HIROSE M, et al. A compact MU-interface 2.5 Gb/s optical transmitter module with LD driver IC in L shaped wiring substrate [J]. IEEE Transactions on Advanced Packaging, 1999, 22 (8) : 451-459.
  • 10HIROYUKI M W, HIROAKI A. A complementary bipolar technology for low cost and high performance mixed analog/ digital applications [C]//Proc of Bipolar/BiCMOS Circuit and Technology Meeting. NM, USA, 1996: 185-188.

引证文献3

二级引证文献9

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部