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金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理

Mechanism of Light Emission From Metal/Insulator/Silicon(MIS) Tunnel Diode
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摘要 金属/绝缘层/硅(MIS)隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元(SPP)与界面粗糙度的耦合.电流-电压特性曲线中6.5V附近的一个负阻和发射光谱中475nm的峰显示,在硅/二氧化硅界面激发起了与之相应的等离子体振荡. Abstract Light emission from Metal/Insulator/Silicon (MIS) tunnel diode can be attributed to that the Surface Plasmon Polariton (SPP) is coupled to photon by surface roughness. In our experiments, the Negative Differential Resistance (NDR) is occured around 6 5 volt in the current voltage curve of MIS tunnel diode, and a radiative peak is near 475nm on its light emission spectrum. From these we consider that the surface plasma can be coupled to emissive photons which are excited in silicon of MIS tunnel diode.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期421-424,共4页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
关键词 隧道二极管 MIS 硅基 发光器件 Light emission Tunnel diodes
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献6

  • 1蔡益民,Jpn J Appl Phys,1994年,L1610卷
  • 2刘秀喜
  • 3孙承休,Chin J Electron,1996年,5卷,44页
  • 4俞建华,发光学报,1995年,16卷,63页
  • 5蔡益民,固体电子学研究与进展,1993年,13卷,307页
  • 6Shu Q Q,J Appl Phys,1989年,66卷,6193页

共引文献8

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