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ITO靶材在黑化过程中面电阻波动的原因分析及解决方法

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摘要一般来讲在镀ＩＴＯ导电膜玻璃时，靶材在使用过程中当积算时间达到１００～１２０ｋＷｈ时，黑化过程结束，虽然各项技术指标变差，但达到相对稳定的阶段。而在靶材黑化过渡过程中，（以ＵＬＶＡＣ公司的ＳＤＰ８５０－ＶＴＭ镀膜设备和Ｄ＝９２％的靶材为例），当积算时...

作者李光哲

机构地区深圳伟光导电膜有限公司

出处《真空》 CAS 北大核心 1999年第2期45-50,共6页 Vacuum

关键词 ITO膜靶材黑化电阻波动薄膜

分类号 O484.1 [理学—固体物理] TB43 [一般工业技术]

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3李音波,李卫华,闫琳,余前春,韩志伟.ITO靶材的研究现状与发展趋势[J].功能材料,2004,35(z1):996-1000. 被引量：9
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7姚吉升,唐三川,等.ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究[J].真空科学与技术,2002,22(B12):47-50. 被引量：4
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9王健敏,卓献荣.高温冷藏库内湿度过大的原因分析及解决方法[J].仲恺农业技术学院学报,1997,10(2):94-96. 被引量：3
10王飞只.西门诺尔飞机真空泵使用寿命短原因分析及解决方法[J].装备制造,2010,0(A04):161-161. 被引量：2

真空

1999年第2期

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