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微波功率放大器芯片的热分析

Thermal analysis of microwave power amplifier chip
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摘要 建立适当模型对微波功率放大器芯片的单个晶体管进行温度分析,仿真结果表明,最高温度高于晶体管正常工作温度。从封装上采取措施,对芯片-粘接材料-基板这一基本结构进行分析,最后解决了温度过高问题。 In this paper, we do the thermal analysis of the transistors and the chip using the Ansys software. It finds that the maximum temperature is higher than the safely working temperature. Then analyze the chip-adhesive material-substrate structure in the ANSYS environment. In the end, we solve the problem that the chip can't work normally because of the high temperature. We mainly consider the chip-adhesive layer - substrate heat conduction path in the analysis process.
机构地区 电子科技大学
出处 《电子技术应用》 北大核心 2010年第12期48-50,共3页 Application of Electronic Technique
关键词 功率放大器 ANSYS 沟道温度 热流密度 power amplifier Ansys channel temperature heat density
  • 相关文献

参考文献3

  • 1REMSBURG R.Thermal design of electronic equipment.New York : CRC, 2001.
  • 2JAEGER J C, CARSLAW H S.Conduction of heat in solids, 2nded.Oxford, U.K. : Oxford Univ. Press , 1959.
  • 3Ansys CFD Flotran Analysis Guide.ANSYS Inc.1995.

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