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砷化铟可替代硅制造未来电子设备

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摘要据美国物理学家组织网报道，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上，

出处《共产党员（下半月）》 2010年第12期53-53,共1页

关键词电子设备加州大学伯克利分校美国能源部制造硅铟国家实验室物理学家

分类号 TN6 [电子电信—电路与系统]

引文网络
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3砷化铟可替代硅制造未来电子设备[J].大众科技,2011(1):12-12.
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5砷化铟可替代硅制造未来电子设备[J].现代材料动态,2011(3):21-22.
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10李坤.纳米收音机诞生[J].投资与合作,2008(1):22-22.

共产党员（下半月）

2010年第12期

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