应用材料公司改进刻蚀技术，降低TSV（硅通孔）制造成本

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摘要日前，应用材料公司发布了基于Applied Centura Silvia^TM刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40％，快速形成平滑、垂直且具有高深宽比的通孔结构。

出处《电子工业专用设备》 2010年第12期56-57,共2页 Equipment for Electronic Products Manufacturing

关键词应用材料公司刻蚀技术制造成本通孔 TSV 硅刻蚀速率等离子源

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电子工业专用设备

2010年第12期

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