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SiHG47N60S：功率MOSFET

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摘要 Vishay推出新款600V、47AN沟道功率MOSFET——SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0．07D的最大导通电阻，栅极电荷216nC，采用TO－247封装。SiHG47N60S的优值系数（FOM）为15．12Ω·nC。

出处《世界电子元器件》 2010年第12期28-28,共1页 Global Electronics China

关键词功率MOSFET 导通电阻栅极驱动栅极电荷优值系数 N沟道封装

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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世界电子元器件

2010年第12期

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