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IDT推出高精度全硅CMOS振荡器
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摘要
ID公司宣布,推出业界精度最高的全硅CMOS振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了100ppm总频率误差。
作者
胥京宇
出处
《世界电子元器件》
2010年第12期74-74,共1页
Global Electronics China
关键词
CMOS振荡器
高精度
IDT
全硅
频率误差
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
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世界电子元器件
2010年 第12期
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