期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

一种高灵敏度大动态范围读出电路 被引量：1

下载PDF
导出
摘要 为读出光电探测器微弱的响应电流,设计了一种增益自动可调列放大器,提高了读出电路的灵敏度和动态范围,读出电路的动态范围提高了24dB,读出电路功耗为230μW,满足探测器读出要求。读出电路的输出信号可以根据应用要求分别采用线性法和非线性法重建。
作者 韩建强 黄北举 关宁 陈弘达
机构地区 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室
出处 《中国集成电路》 2011年第1期39-42,共4页 China lntegrated Circuit
基金 国家自然科学基金(资助号:60536030 60877035 60976026) 国家重点基础研究发展计划(973)(资助号:2011CB933203 2011CB933102)
关键词 光电探测器 灵敏度 动态范围 读出电路 增益可调放大器
分类号 TN36 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献5

  • 1李峻蔚,詹国钟,郭方敏.低维异质结构光存储单元的等效电路建模及模型[J].红外技术,2009,31(7):386-389. 被引量：2
  • 2M. Sakakibara, S. Kawahito, D. Handoko, N Nakamura, H. Satoh, M. Higashi, K. Mabuchi and H. Sumi. A High-Sensitivity CMOS Image Sensor with Gain-Adaptive Column Amplifiers [J]. IEEE Solid- State Circuits, 2005, vol. 40, No. 5, 1147-1156.
  • 3N. Viarani, N. Liberatore, A. J. Syed, M. Gottardi, N. Massari, C. Corsi and A. Baschirotto. A 16-Cell 80dB Dynamic-Range Auto-Range Read-Out Array for Uncooled IR Micro-Bolometers. International Confere- nce on Solid-State Sensors Actuators and Microsystems; 2007 14th. 1361-1364.
  • 4P. E. Allen, D. R. Holberg. CMOS analog circuit design[M] ( second edition ) Beijing: Publishing House of Electronics Industry 2007.7, 383-386.
  • 5C.C. Hsieh, C.Y. Wu, T.P. Sun. "A new cryogenic CMOS readout structure for infrared focal plane array," IEEE JSSC, VOL 32, NO. 8, pp.1192-1199, 1997.

二级参考文献10

  • 1S.Zimmermann,A.O.Govorov,A.Wixforth,C.Rocke et al.Voltage controlled Trapping of Excitons and 'Storage of Light'in Lateral Superlattices[J].Physica E 2,1998:35-38.
  • 2BEAN Songbao,Li Guirong,Zheng Houzhi,et al.,Photo-Strorage in Optical Memory Cells Based on a Semiconductor Quantum Dot-Quantum Well Hybrid Structure[J],CHIN,PHYS.LETT,2003,20(8):1362.
  • 3A.Wixforth,C.Rocke,S.Zimmermann et al.Storage of Photonic Signal in Semiconductor Heterostructure[J].Microelectronic Engineering,1999,47:317-319.
  • 4Tumay O.Turner,Victoria B.Cajipe,Martin Clajus,et al.Multi-Channel Front-End Readout IC for Position Sensitive Solid-State Detectors[J].IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record,2006,N14-91:384-388.
  • 5Yu-Chuan Shih,Chung-Yu Wu.A new CMOS pixel structure for low dark-current and large-array-size still imager applieations[J].IEEE transactions on circuits and System,2004,51:2204-2214.
  • 6M.Dentan.B.D.Cremoux.Numerical simulation of the nonlinear response of a p-i-n photodiode under high illumination[J].J Lightwave Tech,1990,8(8):1137-1144.
  • 7Y.H.Chee,G.Karunasiri,.Circuit model for quantum-well infrared photodetectors and its comparison with experiments[J].Physica E 7,2000:135-138.
  • 8Sano E.A device model for metal-semiconductor-metal photodetectors and its applications to optoelectronic integrated circuit simulation[J].IEEE Trans.ED,1990,ED-37(9):1964-1968.
  • 9A.Zarif kar,M.Soroosh,et al.Circuit modeling of separate absorption,charge and multiplication avalanche photodiode (SACM-APD)[C]//6th International Conference on Laser and Fiber-Optical Network Modeling(L FNM),Ukrain,2004,(3):213-219.
  • 10詹国钟,郭方敏,黄静,朱荣锦.光电传感器读出电路的参数可调控制研究[J].红外技术,2008,30(8):485-488. 被引量：4

共引文献1

同被引文献9

引证文献1

中国集成电路
2011年 第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部