彩电开关电源主要器件及其特性(二)

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摘要 2．低电荷的功率MOSFET系列器件 1997年美国国际整流器GR）公司推出了最新的低电荷HEXFET，即新型MOSFET功率管IRFP450LC、IRFP460LC、IRF740LC、IRFBBC40LC等。由于采用了用较窄的多晶硅线、较厚的栅极氧化层、较低的沟道注入等新工艺，使功率MOSFET工作效率明显提高。

作者朴慧京

出处《家电检修技术（资料版）》 2011年第1期56-57,共2页

关键词开关电源功率MOSFET 器件特性彩电 HEXFET 栅极氧化层工作效率

分类号 TN86 [电子电信—信息与通信工程]

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2Frank Goodenough.150kHz的IGBT可取代MOSFET功率管[J].电子产品世界,1997,4(8):29-30.
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4李占斌.深亚微米制程中栅氧化层的缺陷改善方案[J].中国科技纵横,2014(9):51-53.
5Greg Lara.以低成本提供突破性效能高效FPGA强化系统功能[J].电子测试（新电子）,2005(2):36-39.
6John Ellis.利用深度反转层反馈晶体管直接测量场效应管阈值电压[J].世界电子元器件,2002(7):48-49.
7陈大同,李志坚.一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型[J].电子学报,1990,18(6):9-13.
8赵艳黎,李诚瞻,陈喜明,王弋宇,申华军.SiO2/4H-SiC界面氮化退火[J].半导体技术,2017,42(3):215-218.
9刘松.功率MOSFET应用问题分析之提高篇[J].今日电子,2015,0(2):30-33. 被引量：3
10王义贤.减薄划片过程中ESD的预防与控制[J].电子工业专用设备,2008,37(8):32-35.

家电检修技术（资料版）

2011年第1期

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