硅、UVB及镉胁迫对玉米种子萌发的影响

Effects of Si and UVB and Cd Stress on Seed Germination of Maize.

以郑单958玉米种子为材料,采用水培法,用2.5 mmol/L硅酸钠、5 mg/L氯化镉、3 h UVB单独或复合处理种子,每天定时测发芽率,处理7天后,测根长、芽长及鲜重。结果表明：24 h以前各处理均表现为促进作用,作用效果依次为Cd〉UVB〉Si。在24-48 h之间每个处理的发芽率都表现出直线上升的趋势。在52 h以后各组的发芽率基本上趋向稳定并达到最大值。硅酸钠与氯化镉共同作用时对玉米种子的发芽率促进作用最明显,而硅酸钠与UVB的抑制作用最明显。Cd及其Si、Cd共同作用对玉米幼苗的根长、芽长、鲜重都有抑制作用。