Φ4-6英寸集成电路生产线上工艺硅片的缺陷研究

我们调研了上海的Φ4－6英寸现代集成电路（IC）生产线上工艺流程中的硅片引入的诱生缺陷，并与原小直径地生产线上硅片的诱生缺陷作了比较，依据缺陷理论和利用择优腐蚀技术，研究了诱生缺陷的种类。缺陷的密度和引起的原因。研究结果表明在现代IC生产线上存在三种主要的诱生缺陷。它们是MOS电路中因离子注入而产生的弗兰克不全位错，因薄膜应力和高浓度替位杂质产生的压缩应力而诱生的位错以及在双极型电路中薄膜应力和杂质压缩应力所产生的位错。