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摘要全球领先的半导体TI公司与三晶变频器公司进行技术交流。

出处《变频器世界》 2010年第12期28-28,30,共2页 The World of Inverters

关键词技术交流 TI公司变频器半导体

1福建首根大直径太阳能级“硅单晶棒”诞生[J].新材料产业,2008(3):80-81.
2开创投影屏幕新概念——三晶宇航总裁吴京民与Screen goo漆幕亚太区总裁Chris Cladis[J].家庭影院技术,2008(2):63-63.
3如何提高SMD三晶RGB混色白光的显色指数[J].现代显示,2008(12):64-66.
4三晶电气8000H系列变频器成功应用于球磨机[J].变频技术应用,2014,9(4):104-104.
5张洁,彭铭曾,朱学亮,颜建锋,郭丽伟,贾海强,陈弘,周均铭.AlN外延薄膜的生长和特征[J].激光与红外,2007,37(B09):974-976.
6高纯硅提纯技术打破国外垄断[J].化工经济技术信息,2008(3):7-7.
7高纯硅提纯技术打破国外垄断[J].中国石油和化工,2008(5):69-69.
8马志勇,王晓亮,胡国新,肖红领,王翠梅,冉军学,李建平.Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能[J].Journal of Semiconductors,2007,28(z1):394-397.
9王晓亮,王翠梅,胡国新,马志勇,肖红领,冉军学,罗卫军,唐健,李建平,李晋闽,王占国.SiC衬底上高性能AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制[J].Journal of Semiconductors,2007,28(z1):402-406. 被引量：1
10侯俊峰,周科朝,李志友,王科,甘雪萍.In_2O_3-10SnO_2陶瓷中In_4Sn_3O_(12)与富Sn析出相特征[J].中南大学学报（自然科学版）,2016,47(5):1494-1499. 被引量：1

变频器世界

2010年第12期

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