集成铁电电容的制备和研究被引量：1

Fabrication & Test of Integrated Ferroelectric Capacitors

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摘要给出了一种在ＣＭＯＳ电路基础上制备集成铁电电容的方法。 One practical approach of forming integrated ferroelectric capacitor on CMOS circuit is described.

作者姚海平钟琪黄维宁姜国宝洪晓菁汤庭鳌

机构地区复旦大学电子工程系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期26-29,共4页 Semiconductor Technology

基金国家自然科学基金上海应用材料研究中心(AM)项目 "863"项目资助

关键词铁电薄膜不挥发存储器集成 FerroelectricThin filmNonvolatileMemory

同被引文献2

1罗维根,丁爱丽.新一代不挥发铁电存储器与IC卡(下)[J].上海微型计算机,1998(24):45-45.
2汤庭鳌,陈登元,汤祥云,程君侠,虞惠华.新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现[J].Journal of Semiconductors,2002,23(11):1201-1206.
3汤庭鳌.铁电薄膜的特性、制备及应用[J].半导体技术,1996,12(6):1-7. 被引量：1
4黄维宁,姜国宝,林殷茵,汤庭鳌.铁电存储器中Pb(Zr,Ti)O_3集成铁电电容的制备[J].固体电子学研究与进展,2003,23(1):112-115.
5罗维根,丁爱丽.新一代不挥发铁电存储器与IC卡(上)[J].上海微型计算机,1998(23):46-46.
6蔡道林,李平,张树人,翟亚红,阮爱武,刘劲松,陈彦宇,欧阳帆.应用于FRAM的集成铁电电容的研究[J].压电与声光,2008,30(1):42-44.
7刘寅,朱钧.一种FLASH存储单元的结构及功能分析[J].微电子学,1998,28(1):32-35. 被引量：5
8刘林生,刘肃,王文新,赵宏鸣,刘宝利,蒋中伟,高汉超,王佳,陈弘,周均铭.半导体自旋电子学的研究与应用进展[J].电子器件,2007,30(3):1125-1128.
9严厚伟.存储器在数字式频率引导接收机中的应用[J].舰船电子对抗,1998,21(5):19-24.
10颜雷,黄维宁,姜国宝,汤庭鳌.新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)[J].微电子技术,1998,26(3):6-9. 被引量：1

半导体技术

1999年第4期

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