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冷等离子体提纯硅的速率模型分析

Analyses on the Speed Model of SiliconPurity Treated by Cold Plasma
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摘要 应用反应动力学方法建立基元反应速率方程并按工艺条件进行耦合,得出了以宏观工艺参数表达的提纯速率方程。这种方程便于计算,能指导工艺优化并容易为工程师应用。 The reaction kinetics methods for constructing the speed equations of element reaction,which,then,coupled with the technlogy practice,the purity speed equation described by macroscopic parameters was obtained.This equation,which can be easily used by engineers,possesses the characters of simplifying the calculations,and leading to technology optimum.The calculating results of this equation are fitted into the experimental data well.
机构地区 华中理工大学
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期32-35,共4页 Semiconductor Technology
基金 国家自然科学基金
关键词 冷等离子体 提纯速率 反应动力学 半导体材料 Cold plasmaPurity speedReaction kinetics
  • 相关文献

参考文献4

  • 1(捷)德姆鲍夫斯基V 林彬(译).等离体冶金[M].北京:冶金工业出版社,1987.5.
  • 2王敬义,杨剑辉,胡慧娟,陈忠财,张丽娜,李振香,王宇,王颖.反应溅射制备TiN薄膜的靶中毒模型研究[J].微细加工技术,1997(1):53-59. 被引量:2
  • 3王敬义,薄膜生长理论,1993年,403页
  • 4林彬(译),等离体冶金,1987年,5页

二级参考文献1

共引文献1

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