InSb面阵减薄实验工艺研究

对InSb面阵器件制造技术中的一项关键技术的工艺研究进行了介绍,在InSb晶片的平行度及面形达到一定要求下,减薄到40μm左右,且使其表面损伤降为最小。减薄抛光技术的成熟,为制造多种晶体材料的光导器件提供了必要的支持。