铁电材料创下芯片存储密度新纪录

日本东北大学的科学家们在实验室中使用铁电存储技术将存储芯片的存储密度提高到每平方英寸4万亿（trillion）个字节，创造了还处于实验阶段的铁电存储体的世界新纪录，该密度是目前最先进的磁性硬盘存储器存储密度的8倍左右，研究发表在《应用物理学快报》杂志上。