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Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MoSFET-——SiA427DJ

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摘要日前，Vishay Intertechnology，Inc．宣布，推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA427DJ。该新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。

出处《电子质量》 2011年第2期38-38,共1页 Electronics Quality

关键词功率MOSFET P沟道 SC-70封装低导通电阻新器件 Inc 增强型

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
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电子质量

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