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摘要 3D减薄工艺和超薄芯片应对技术挑战晶圆减薄晶圆研磨和抛光工艺要达到一定要求,需采用耐用性较好的晶圆支架（晶圆盒）,表1所示数据为富士通对在玻璃支架上完成研磨和抛光工艺后的晶圆测得的数据.

出处《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第2期138-138,共1页 Micronanoelectronic Technology

关键词技术抛光工艺晶圆薄芯片耐用性富士通减薄研磨

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微纳电子技术

2011年第2期

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