摘要
谐振带间隧道二极管是一种双势垒量子阱极性器件，其突出特点在于其峰谷电流比谐振隧道二极管（属双势垒量子阱非极性器件）高。对其基本工作原理及结构进行了分析，介绍并讨论了这种结构在电路中的两项应用。
The basic theory of operation for the resonant interband tunneling diode (RITD) is analyzed and the structure of the device is examined. Also, applications of RITDs are discussed in the paper.
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期282-285,共4页
Microelectronics
关键词
带间隧道
二极管
双势垒量子阱
负微分电阻
Interband tunneling
Diode
Double barrier quantum well
Negative differential resistor
