半导体中掺杂缺陷的研究

Research on Doping Defect in Semiconductor

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摘要研究了近年来有关含杂质、杂质对或多杂质缺陷半导体的状况。 The researches,in the recent years,on the impurity,impurity pairs and impurity vacancy complexes in semiconductors are studied.

作者张跃

机构地区湖南省教育学院物理系

出处《半导体情报》 1999年第4期37-40,共4页 Semiconductor Information

关键词格林函数方法分子轨道技术半导体掺杂缺陷 Method of Green function Molecular orbital treatment Structure

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN305.3 [电子电信—物理电子学]

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