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0.18μm CMOS带隙基准电压源的设计 被引量:2

Design of 0.18 μm CMOS bandgap reference voltage source
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摘要 基准电压源可广泛应用于A/D、D/A转换器、随机动态存储器、闪存以及系统集成芯片中。使用0.18μm CMOS工艺设计了具有高稳定度、低温漂、低输出电压为0.6 V的CMOS基准电压源。 Reference voltage source can be used broadly in ADC, DAC, RAM, flash memory and other integrated circuit. This paper designed a high stability, low temperature coefficient and 0.6 V output bandgap reference voltage source using 0.18 μm CMOS.
出处 《电子技术应用》 北大核心 2011年第3期51-53,57,共4页 Application of Electronic Technique
关键词 带隙基准 0.18 μm CMOS 温度系数 bandgap reference 0.18μm CMOS temperature coefficient
  • 相关文献

参考文献3

  • 1ROBERT P.The design of Band-Gap reference circuits: Trials and Tribulations[C].IEEE 1990 Bipolar Circuits and Technology Meeting, 1990 : 214-218.
  • 2RAZAVI B.Design of CMOS integrated circuits : 317-32.西安交通大学大学出版社.2002,12.
  • 3JACOBR,HARRY B,ADVID W I,et a1.CMOS circuit design,Layout,and Simulation:485-489.机械工业出版社.2006,1.

同被引文献10

引证文献2

二级引证文献7

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