采用非硅氧化物可以克服硅CMOS集成电路缩小尺寸过程中栅氧化层减薄所带来的问题

在硅集成电路进一步缩小尺寸的过程中,将会遇到一些困难;其中的一项是栅氧化层的厚度,从目前情况来看出现了问题得以解决的苗头。