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溶剂热合成制备纳米In_1-_xAl_xP固溶体(英)
被引量:
2
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摘要
在160 ℃下,以1 ,2二甲氧乙烷为溶剂和配合剂用溶剂热合成法成功地制得10 ~12 nm 的 In1 - x Alx P固溶体,固溶度x 在0 ~0 .55 之间。 X R D 和 T E M 用以鉴定产物的结构和形貌, X P S 给出产物的固溶度和纯度。
作者
谢毅
王文中
钱逸泰
刘先明
机构地区
中国科学技术大学
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期566-570,共5页
Chinese Journal of Inorganic Chemistry
基金
国家自然科学基金,霍英东青年教师基金
关键词
磷化铟铝
溶剂热合成
纳米半导体
半导体
分类号
O614.31 [理学—无机化学]
O614.372 [理学—无机化学]
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无机化学学报
1999年 第5期
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