期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

SiA427DJ：功率MOSFET

下载PDF

导出

摘要 Vishay Intertechnology推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET器件SiA427DJ。SiA427DJ所采用的超小尺寸2mm×2mm PowerPAK SC-70封装为小型手持式电子设备进行了优化。

出处《世界电子元器件》 2011年第3期34-34,共1页 Global Electronics China

关键词功率MOSFET器件 SC-70封装电子设备 P沟道小尺寸手持式

分类号 TN701-4 [电子电信—电路与系统]

引文网络
相关文献

1Vishay推出首款带有同体封装的190V功率二极管的190V N通道功率MOSFET[J].电子与电脑,2009,9(2):66-66.
2Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MoSFET-——SiA427DJ[J].电子质量,2011(2):38-38.
3SiA936EDJ：功率MOSFET[J].世界电子元器件,2014(6):25-25.
4Vishay推出20VMOSFET可显著提高便携式电子产品[J].集成电路应用,2015,0(3):44-44.
5Vishay Siliconix推出业内率先采用PowerPAK~ SC-75和SC-70封装的功率MOSFET[J].电子设计工程,2013,21(3):186-186.
6Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录[J].电子设计工程,2012,20(14):71-71.
7FAN4931：运算放大器[J].世界电子元器件,2010(5):35-35.
8采用热增强封装的150V N沟道MOSFET[J].今日电子,2014(6):67-67.
9赵佶.Vishay MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录[J].半导体信息,2014(2):5-6.
10江兴.Vishay推出新款8 V N沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA436DJ[J].半导体信息,2012,0(4):9-10.

世界电子元器件

2011年第3期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部