期刊文献+

UniFET II:高电压MOSFET

下载PDF
导出
摘要 飞兆半导体推出iFETIIMOSFET,具有较好的品质因数(FOM),较低的输入和输出电容,以及反向恢复性能,并具有高效率。器件的小型封装能容纳大量的功率,但不会产生更多的热量,适合于液晶电视和等离子电视的SMPS应用,以及照明系统、
出处 《世界电子元器件》 2011年第3期35-35,共1页 Global Electronics China
  • 相关文献

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部