DSOI结构开口位置对SOICMOS器件高温性能的影响

在沟道下方的隐埋氧化层中开一个窗口形成DSOI结构，空穴可以通过沟道区与衬底的电耦合传递出去，同时器件内部产生的热量也可以很容易通过沟道下方的硅通道泄散出去。本文重点研究埋氧开口位置对器件性能特别是高温性能的影响，并得出了相关的结论。