IBM尝试将双层石墨烯FET用作逻辑LSI的开关元件

2010年12月，美国IBM宣布找到了一种方法，可提高用于沟道的双层石墨烯FET的导通／截止比。用半导体材料制作源电极和漏电极，代替原来的金属源漏极，由此抑制截止状态下由漏电极流向源电极的泄漏电流，以这种方法构造的栅长为20nm的双层石墨烯FET，有望实现10^4左右的导通／截止比以及110mV／dec的S因子。