磁控溅射淀积速率影响因素及最佳工艺参数研究

沉积速率高、基材温升低的磁控溅射工艺,已经成为半导体集成电路金属化工艺的主流。本文重点对在硅晶圆上溅射金属薄膜的实际镀膜过程中的淀积速率进行了理论和实验研究。研究表明淀积速率随工作气压的增大先增大后减小;淀积速率随着靶基距增大而减小,但均匀性增强;当入射离子的能量超过溅射阈值时,淀积速率随着溅射功率的增加先增加后下降;同时还研究了靶材料对淀积速率的影响,以及溅射功率、淀积时间对膜厚和膜质量的影响。