用远距离等离子体激发无水氟化氢进行硅天然氧化物的选择性蚀刻
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1稳健创新 大厂品质 讯景GTX275黑甲版(GX-275X-AHF)显卡[J].电脑迷,2009(18):35-35.
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2一丁.Al的螺旋波等离子体蚀刻特点[J].等离子体应用技术快报,1994(11):16-17.
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3晓青.负离子等离子体蚀刻硅[J].等离子体应用技术快报,1996(10):6-7.
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4宏民.螺旋波等离子体蚀刻装置研制[J].等离子体应用技术快报,1995(3):8-10.
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5李民.在ECR等离子体的选择性SiO2/Si蚀刻中添加氢气的效应[J].等离子体应用技术快报,1997(6):17-18.
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6Chap.,BN,张一鸣.等离子体蚀刻基础(上)[J].国外核聚变与等离子体应用,1992(1):61-75.
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7Chap.,BN,张一鸣.等离子体蚀刻基础(下)[J].国外核聚变与等离子体应用,1992(2):60-72.
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8华虹半导体功率器件平台累计出货量突破500万片晶圆[J].集成电路应用,2017,34(4):90-90.
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9柳柳.电感耦合等离子体蚀刻(Ba,Sr)TiO3薄膜[J].等离子体应用技术快报,1999(2):5-7.
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10300mm圆片等离子体蚀刻系统发展面临挑战[J].电子产品世界,1998,5(8):56-57.