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正电子迁移率的测量 被引量:2

THE MEASUREMENT OF POSITRON MOBILITY
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摘要 综述了在半导体和金刚石中的正电子迁移率的6种不同测量方法(角关联方法、多普勒方法、寿命谱方法、注入剖面法、扩散常数法和慢正电子法),给出了自1957年以来国内外的所有测量数据。 Six kinds of positron mobility measurement methods(angular correlation,Doppler drift,lifetime,implantation profile,diffusion constant and slow positron beam) are reviewed,measurement data since 1957 is analysed.
出处 《物理》 CAS 1999年第7期429-433,共5页 Physics
基金 国家自然科学基金
关键词 正电子湮没 正电子迁移率 半导体 金刚石 Positron Annihilation, Positron Mobility Semiconductor,Diamond
  • 相关文献

参考文献7

  • 1Hautojarvi P 何元金等(译).正电子湮没技术[M].北京:科学出版社,1983..
  • 2郁伟中 翁自立 等.-[J].核技术,1993,16(6):321-326.
  • 3郁伟中,翁自立,蒋清明,曹必松,徐湛.室温下GaAs中正电子迁移率的测量[J].核技术,1993,16(6):321-324. 被引量:2
  • 4Au H L,Mater Sci Forum,1992年,105-110,591-594页
  • 5顾秉林,固体物理,1989年,1页
  • 6叶良修,半导体物理学,1987年,663页
  • 7何元金(译),正电子湮没技术,1983年

二级参考文献2

  • 1刘恩科,半导体物理学,1989年
  • 2何元金,正电子湮没技术,1987年

共引文献2

同被引文献4

引证文献2

二级引证文献6

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