摘要
报道了 Ｇａ Ａｓ （３１１） Ａ 衬底上的自组装 Ｉｎ Ａｓ 量子点的结构和光学特性．原子力显微镜结果表明（３１１） Ａ Ｇａ Ａｓ 衬底上的 Ｉｎ Ａｓ 量子点呈箭头状，箭头方向沿［２３３］ 方向．实验发现，量子点的光致发光（ Ｐ Ｌ） 强度、峰位、半高宽都与测量温度密切相关．随着温度的升高，量子点的发光强度减小，峰位快速红移，半高宽单调下降．可以认为这是由于载流子先被热激活到浸润层势垒后再被俘获到能量较低的量子点中进行复合造成的，这一模型圆满解释了我们的实验结果．
We report the structural and optical characteristics of InAs quantum dots (QDs) grown on GaAs (311)A substrates.Atomic force microscopic result shows that QDs on (311)A surface exhibit a nonconventional,faceted,arrowhead\|like shapes aligned in the \
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第8期1541-1546,共6页
Acta Physica Sinica
基金
国家自然科学基金
