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TSL门工作机理分析

Analysis for the Mechanism of TSL Gate
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摘要 对TSL门的工作机理分析提出了异议,认为在控制端EN=1时,若数据输入端A、B都为高电平,二极管D截止,这时TSL门与普通TTL与非门电路相同,但当数据输入端A、B有低电平时,二极管D将不截止而是导通,这时TSL门电路不能认为与普通TTL与非门电路相同. The new view about the mechanism of TSL gate is put forward. That is, when control input EN =1,if data input A and B are of high levels,then the diode D is off.This is same as normal TTL NAND gate. If data input A and B are of low levels, then the diode D is on rather than off.In this case,TSL gate is different from normal TTL NAND gate.
出处 《长沙水电师院学报(自然科学版)》 1999年第3期240-241,共2页
关键词 截止 饱和 导通箝位 TSL门 数字电路 Cut off Saturation On clamp
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献2

  • 1高厚磊,厉吉文,文锋,江世芳,徐丙垠.GPS及其在电力系统中的应用[J].电力系统自动化,1995,19(9):41-44. 被引量:48
  • 2[美]奥本海姆(A·V· Oppenheim),[美]谢弗(R·W· Sehafer) 著,董士嘉,杨耀增.数字信号处理[M]科学出版社,1980.

共引文献6

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