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北京大学“单壁碳纳米管可控生长研究”取得突破
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摘要
碳纳米管的可控制备是目前碳基电子学发展中亟待解决的瓶颈问题,国际半导体路线图委员会2009年所提出的碳纳米管基电子学发展中的五大挑战中的前两个挑战分别是碳纳米管的性质可控生长和方向、位置的可控生长。
作者
Mary
出处
《今日电子》
2011年第4期28-28,共1页
Electronic Products
关键词
单壁碳纳米管
可控生长
北京大学
可控制备
电子学
委员会
路线图
半导体
分类号
TN01 [电子电信—物理电子学]
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今日电子
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