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SiA444DJT／SiA429DJT功率MOSFET

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摘要 VishayIntertechnology推出采用0．6mm超低外形的热增强ThinPowerPAKSC．70封装的新款30VN沟道SiA444DJT和20VP沟道TrenchFET功率MOSFETSiA429DJT。

出处《世界电子元器件》 2011年第4期34-34,共1页 Global Electronics China

关键词功率MOSFET P沟道 N沟道封装

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

引文网络
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世界电子元器件

2011年第4期

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