期刊文献+

LICVD法制备a-Si_3N_4纳米粒子光谱研究 被引量:2

Spectroscopic Study of Nanometer Sized a-Si_3N_4 Particles Made by LICVD
下载PDF
导出
摘要 用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为10nm 左右的aSi3N4 纳米粒子.红外吸收和喇曼光谱研究表明aSi3N4 纳米粒子中存在Si—N,Si—H,N—H,Si—O—Si键,分析了aSi3N4纳米粒子在不同的温度和气氛退火后的变化情况.并对aSi3N4 纳米粒子胶体溶液的紫外可见吸收进行了测试分析. In this paper we obtained nanometer sized a\|Si\-3N\-4 particles by laser induced chemical vapor deposition(LICVD). The average diameter of the particles is about 10nm.The studies of IR and Raman spectra show that there are Si_N,Si_H,N_H,Si_O_Si bonds in the particles.An analysis of Raman spectra of a\|Si\-3N\-4 for thermal treatment in various temperature and atmosphere is made.Experiments on ultraviolet\|visible absorption of a\|Si\-3N\-4 colliod are studied.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期952-956,共5页 半导体学报(英文版)
  • 相关文献

参考文献7

  • 1周祖康.胶体化学基础[M].北京:北京大学出版社,1989.1.
  • 2左都罗.理学博士学位论文(1993)[M].中国科学院安徽光学精密机械研究所,..
  • 3左都罗,博士学位论文,1993年
  • 4Chen L,J Mater Sci,1990年,25卷,4273页
  • 5周祖康,胶体化学基础,1989年,1页
  • 6Chao S S,J Non Cryst Solids,1985年,77卷,929页
  • 7方俊鑫,固体物理学.下,1981年

共引文献4

同被引文献21

  • 1丁继成,徐铸德.TiO_2膜的激光化学气相淀积[J].Chinese Journal of Chemical Physics,1994,7(4):386-388. 被引量:6
  • 2王善忠,李道火.a-Si_3N_4纳米粒子的激光法制备及能级结构研究[J].物理学报,1994,43(4):627-631. 被引量:8
  • 3余茂黎.激光化学气相反应制备精细陶瓷膜[J].硬质合金,1994,11(4):241-245. 被引量:1
  • 4王卫乡,刘颂豪,李道火,刘宗才.激光诱导化学气相沉积纳米硅的红外光谱[J].量子电子学,1996,13(1):67-73. 被引量:1
  • 5徐滨土.表面工程的理论与技术[M].北京:国防工业出版社,1999..
  • 6Caceres J O, Najera J J, Lane S, et al. Size distribution and characterization of Si nanometer - size particles obtained by CO2 and Nd: YAG laser irradiation of SiH4[J]. Phys chem chem Phys. 1995, 99(2): 1535 - 1538.
  • 7Parames M L F, Conde O. Growth of TiC films by thermal laser-assisted chemical vapor deposition[J]. Applied Surface Science,1992, 109/110:554 - 558.
  • 8Kar A. Mazumder J. Laser chemical vapor deposition of thin films[J]. Materials Science & Engineering, 1996, B41:368 -373.
  • 9Chen X L, Mazumder J. In situ laser -induced fluorescence studies of laser chemical vapor deposition of TiN thin films[J]. Applied physics letters, 1994, 65 (3): 298 - 300.
  • 10Cond O, Ferreira M L G, Hochholdinger P, et al. CO2 Laser induced CVD of TiN [J]. Applied Surface Science, 1992, 54:130 -134.

引证文献2

二级引证文献11

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部