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电子束蒸镀Y_2O_3-ZrO_2减反射膜用于1.3μm半导体激光器 被引量：1

Y_2O_3-ZrO_2 Thin Film Used as Anti-Reflective Coationg for 1.3μm Laser Diode Prepared With Electron Beam Evaporator
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摘要 用ＤＭＰ４５０ 型电子束镀膜机，制备了Ｙ２Ｏ３ＺｒＯ２ 膜，并将它用作１．３μｍ 半导体激光器的减反射膜．测试结果表明，镀膜后的半导体激光器其外微分子量效率明显提高，线性化也有改善．对于减反程度很高的管子，出现了超辐射现象．本文对这些现象及有关机理进行了讨论． The Y\-2O\-3\|ZrO\-2 anti\|reflective(AR)coatings for 1 3μm laser diodes have been prepared with DMP\|450 electron beam evaprator.The external differential quantum efficiency of laser diode with coatings is larger than those without coatings,and the linearity of laser diodes output is improved.When the diode's back reflcetivity is reduced deeply,the diodes would have some properties of superluminescent diodes.All the phemomena and the mechanism are disussed in this paper.
作者 王浙辉 林理彬 卢铁城
机构地区 四川大学物理系辐射物理及技术国家教委开放实验室
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期971-976,共6页 半导体学报（英文版）
基金 国家自然科学基金 国家教委高校博士学科点专项科研基金
关键词 半导体激光器 电子束蒸镀 Y2O3-ZrO2 减反射模
分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献12

共引文献11

同被引文献13

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引证文献1

二级引证文献8

Journal of Semiconductors
1999年 第11期

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