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多晶硅电阻负阻特性的研究
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摘要
在实验的基础上对多晶硅电阻的负阻特性做了较详尽的阐述 ,并给出了进行定量计算的数学公式。
作者
王丰
机构地区
黑龙江商学院电子工程系
出处
《黑龙江电子技术》
1999年第11期22-23,共2页
关键词
多晶硅电阻
晶粒
负阻特性
势垒
浓度
分类号
TM54 [电气工程—电器]
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黑龙江电子技术
1999年 第11期
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