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阵列式半导体激光器中的热特性 被引量:2

The Thermal Effects in Semiconductor Laser Arrays
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摘要 本文给出了一组数学方程,以描述多条阵列式半导体激光器中的热特性,并针对具体实例进行了计算,将多条结构的结果同单条结构的结果进行了比较,发现前者带来管芯中发光区较高的温升。本文也讨论了阵列中电极条的宽度及条间距对管芯内温度分布的影响。 A set of equations are est(?)blished to describe the thermal effects in multi-stripe geometry semiconductor laser arrays. The numerical caleulation is carried out for some cases and the comparison of multi-stripe results to single stripe ones shows that the temperature rise is higher in the former than that in the latter. The influence of electrode width and the stripe seperation to the temperature distribution inside the laser diodes have been discussed.
出处 《通信学报》 EI CSCD 北大核心 1990年第5期34-38,共5页 Journal on Communications
关键词 阵列式 半导体激光器 热特性 Semiconductor laser, thermal effects, laser ariays.
  • 相关文献

二级参考文献1

  • 1W?odzimierz Nakwaski. Dynamical thermal properties of broad-contact double-heterostructure GaAs-(AIGa)As laser diodes[J] 1983,Optical and Quantum Electronics(4):313~324

同被引文献6

引证文献2

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