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高效率逆F类功率放大器设计

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摘要 高功率放大器效率一直以来是功放设计力求突破的方向之一。文章采用逆F类设计方法,深入分析了逆F类工作原理及设计重难点,给出了设计实物及测试结果。在平均功率输出30W情况下,效率较AB类功放提高8%。
作者 邓正森 陈羽
出处 《大众科技》 2011年第4期18-19,共2页 Popular Science & Technology
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参考文献3

  • 1Doherty W H..A new high efficiency amplifier for modulated waves.Proc. IRE, vol.24, Sept. 1936,pp. 1163-1182.
  • 2张玉兴.射频微波功率放大器[M].电子工业出版社,2006.
  • 32.A.Maekawa,T.Yamamoto,E.Mitani and S.Sano.A 500 W Push Pull A1GaN/GaN HEMT Amplifier for L-band High Power Application.2006 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest, pp. 722- 725.

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