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基于0.18μm工艺CMOS超宽带低噪声放大器设计 被引量:5

Design of a 0.18μm CMOS Ultra-Wideband Low Noise Amplifier
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摘要 超宽带技术是一种无载波通信技术,利用纳秒至微微秒级的非正弦波窄脉冲传输数据,相对于窄带技术,使用超宽带技术进行无线传输具有很多优势。文章介绍了一种基于0.18μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。结合计算机辅助设计,可以看出经过优化后其S11和S22在3.1GHz^10.6GHz范围内都小于-10dB,而正向增益S21根据-3dB带宽计算可得其符合要求的频率范围达到2.4GHz^10.4GHz,噪声系数NF在2.8GHz左右达到最低值1dB,平均在2.5dB,可以认为是比较低的。整体而言电路符合UWB技术所运用范围。 UWB is a technology making use of nanosecond to Pico-second level non-sinusoidal narrow pulse to transmit data.Compared to narrowband technology,the use of ultra-wideband technology for wireless transmission has many advantages.This paper describes a 0.18μm CMOS technology based ultra broadband low-noise amplifier design.According to simulation results,S11 and S22 are less than-10dB in the range of 3.1GHz^10.6GHz,while the-3dB bandwidth is 2.4GHz ~10.4GHz.The lowest noise figure within the bandwidth is about 1dB at 2.8GHz and it is 2.5dB in average.The whole circuit is consistent with the specifications of the UWB technology.
作者 徐国明
出处 《电子与封装》 2011年第4期31-34,共4页 Electronics & Packaging
关键词 CMOS 超宽带 低噪声放大器 CMOS ultra-wideband low-noise amplifier
  • 相关文献

参考文献6

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同被引文献37

引证文献5

二级引证文献6

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