退火与抛光对真空中瓷件飞弧特性的影响

为了研究表面抛光与退火对瓷件表面介电击穿特性的影响，已进行了多次实验。发现当陶瓷样品在１０００℃退火时，其表面的剩余应力降低，击穿电压上升。而抛光的样品，剩余应力的降低对击穿电压的上升幅度影响不大。介电击穿前观察到的表面辉光可推断由于绝缘表面缺陷而发生的荧光。