英特尔携手美光推出20nm制程技术闪存

4月14日,英特尔公司和美光科技公司宣布针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其它数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。数据存储量的增长与平板电脑和智能手机功能的增强,对NAND闪存技术带来了新的需求,对缩小其体积和提高其容量的需求尤为强烈。英特尔公司与美光公司推出的全新20nm制程8GB NAND设备尺寸仅为118mm,与两家公司基于现有的25nm NAND制程的8GB NAND设备相比,可节约30%～40%的主板空间（取决于封装类型）。