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紫外汞灯PVD二氧化硅薄膜特性研究 被引量：2

A Study on the Characteristics of UV-Hg Lamp Photochemical Vapor Deposited Si0_2 Films
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摘要 本文论述了紫外汞灯Hg敏化PVD SiO_2薄膜的原理及方法,讨论了PVD SiO_2薄膜的光学特性、结构特性、电学特性、附着力及应力,并分析了薄膜的成份。 The Principles and methods of UV-Hg lamp sensitized Photo CVD are described in this paper. And also discussed are the optical, structural and electrical characteristics of Photo-CVD SiO2 films as well as its adhesion and stress. Finally, compositions of the films are analyzed.
作者 景俊海 孙青 孙建诚 付俊兴
机构地区 西安电子科技大学物理系
出处 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第4期15-18,共4页 Microelectronics
关键词 紫外汞灯 PVD 二氧化硅薄膜 汞气灯 UV-Hg lamp, Photo-CVD, SiO2 film, Hg sensitizing
分类号 TM923.322 [电气工程—电力电子与电力传动]
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引证文献2

二级引证文献29

微电子学
1990年 第4期

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